DIW040F135 IGBT tranzistor 1350V / 40A

IGBT tranzistor DIW040F135 – 1350 V / 40 A

Výkonový tranzistor typu IGBT s vysokým napäťovým rozsahom a možnosťou spínania vyšších prúdov. Určený pre použitie v priemyselných meničoch, zdrojoch a ďalších výkonových aplikáciách.

Technické parametre:

Typ: IGBT, N‑typ, Trench Field‑Stop

Max. napätie kolektor‑emitor (Vce): 1350 V

Menovitý kolektorový prúd (Ic): 40 A

Impulzný prúd (Icm): 160 A

Nasytené napätie Vce(on): cca 2,1 V pri Ic = 40 A

Rozptýlený výkon (Ptot): 510 W

Prevedenie: TO‑247‑3 (THT, 3 vývody)

Prevádzková teplota spoja: ‑40 °C až +175 °C